NDPL100N10BG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
部品番号
NDPL100N10BG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7.2 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2950pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V, 15V
Vgs (最大)
±20V
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