画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
NDS8852H

NDS8852H

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
部品番号
NDS8852H
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
1W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 15V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 50235 PCS
連絡先
のキーワード NDS8852H
NDS8852H 電子部品
NDS8852H 売上
NDS8852H サプライヤー
NDS8852H ディストリビュータ
NDS8852H データテーブル
NDS8852Hの写真
NDS8852H 価格
NDS8852H オファー
NDS8852H 最安値
NDS8852H 検索
NDS8852H を購入中
NDS8852H チップ