NTHD4N02FT1G
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
部品番号
NTHD4N02FT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
ChipFET™
消費電力(最大)
910mW (Tj)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.9A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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