NTHS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
部品番号
NTHS2101PT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
ChipFET™
消費電力(最大)
1.3W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2400pF @ 6.4V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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