NTHS4111PT1G
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
部品番号
NTHS4111PT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
ChipFET™
消費電力(最大)
700mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
28nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1500pF @ 24V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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