ON Semiconductor NTLJD3182FZTBG MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN を購入

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NTLJD3182FZTBG

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

部品番号

NTLJD3182FZTBG

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-WDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ

6-WDFN (2x2)

消費電力(最大)

710mW (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

Schottky Diode (Isolated)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.2A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

450pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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