NTLJS1102PTBG
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
部品番号
NTLJS1102PTBG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
6-WDFN (2x2)
消費電力(最大)
700mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
720mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1585pF @ 4V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 4.5V
Vgs (最大)
±6V
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