NTMD6N02R2
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
部品番号
NTMD6N02R2
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
730mW
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.92A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
35 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100pF @ 16V
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