NTMS4P01R2
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
部品番号
NTMS4P01R2
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
消費電力(最大)
790mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.15V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1850pF @ 9.6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±10V
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