NTR4170NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
部品番号
NTR4170NT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
480mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.76nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
432pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 10V
Vgs (最大)
±12V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 13005 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード NTR4170NT1G
NTR4170NT1G 電子部品
NTR4170NT1G 売上
NTR4170NT1G サプライヤー
NTR4170NT1G ディストリビュータ
NTR4170NT1G データテーブル
NTR4170NT1Gの写真
NTR4170NT1G 価格
NTR4170NT1G オファー
NTR4170NT1G 最安値
NTR4170NT1G 検索
NTR4170NT1G を購入中
NTR4170NT1G チップ