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NTTFS5116PLTWG

NTTFS5116PLTWG

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
部品番号
NTTFS5116PLTWG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-WDFN (3.3x3.3)
消費電力(最大)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
52 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1258pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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