ON Semiconductor NVATS5A112PLZT4G MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK を購入

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NVATS5A112PLZT4G

MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

部品番号

NVATS5A112PLZT4G

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

ATPAK

消費電力(最大)

48W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

27A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

43 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.6V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

33.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1450pF @ 20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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