NVMFS6B14NLT1G
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
部品番号
NVMFS6B14NLT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Ta), 55A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1680pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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