BSM180D12P2C101
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
部品番号
BSM180D12P2C101
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
-
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
1130W
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
180A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 35.2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
23000pF @ 10V
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