Rohm Semiconductor R6018ANJTL MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS を購入

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R6018ANJTL

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

部品番号

R6018ANJTL

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Not For New Designs

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

LPTS

消費電力(最大)

100W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

270 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

55nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2050pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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