Rohm Semiconductor RQ3E180AJTB MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

RQ3E180AJTB

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

部品番号

RQ3E180AJTB

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerVDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

8-HSMT (3.2x3)

消費電力(最大)

2W (Ta), 30W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18A (Ta), 30A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 11mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

39nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4290pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 24690 PCS

連絡先

関連製品

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8