RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
部品番号
RQ3E180BNTB
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSMT (3.2x3)
消費電力(最大)
2W (Ta), 20W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
37nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3500pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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