Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT を購入

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RQ6E055BNTCR

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

部品番号

RQ6E055BNTCR

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

サプライヤーデバイスパッケージ

TSMT6 (SC-95)

消費電力(最大)

1.25W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

8.6nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

355pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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