RQ6E085BNTCR
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
部品番号
RQ6E085BNTCR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-74, SOT-457
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-457
消費電力(最大)
1.25W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
32.7nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1350pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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