RS1E200GNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
部品番号
RS1E200GNTB
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSOP
消費電力(最大)
3W (Ta), 25.1W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
16.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1080pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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