Rohm Semiconductor RSS090P03FU7TB MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC を購入

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RSS090P03FU7TB

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

部品番号

RSS090P03FU7TB

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Not For New Designs

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SOP

消費電力(最大)

2W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

14 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

39nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4000pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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