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RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
部品番号
RW1A030APT2CR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ
6-WEMT
消費電力(最大)
700mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
42 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
22nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2700pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
Vgs (最大)
-8V
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