SCT2H12NZGC11
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
部品番号
SCT2H12NZGC11
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-3PFM, SC-93-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3PFM
消費電力(最大)
35W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1700V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 900µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14nC @ 18V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
184pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
18V
Vgs (最大)
+22V, -6V
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