IRF640
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
部品番号
IRF640
メーカー/ブランド
シリーズ
MESH OVERLAY™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
125W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
180 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
72nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1560pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 46221 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF640
IRF640 電子部品
IRF640 売上
IRF640 サプライヤー
IRF640 ディストリビュータ
IRF640 データテーブル
IRF640の写真
IRF640 価格
IRF640 オファー
IRF640 最安値
IRF640 検索
IRF640 を購入中
IRF640 チップ