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STB20N60M2-EP

STB20N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
部品番号
STB20N60M2-EP
メーカー/ブランド
シリーズ
MDmesh™ M2-EP
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
4.75V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
22nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
-
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