STMicroelectronics STB21NM50N-1 MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK を購入

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STB21NM50N-1

MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK

部品番号

STB21NM50N-1

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

MDmesh™ II

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I2PAK

消費電力(最大)

140W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

500V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

190 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

65nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1950pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±25V

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