STMicroelectronics STB26NM60ND MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

STB26NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

部品番号

STB26NM60ND

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

FDmesh™ II

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D2PAK

消費電力(最大)

190W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

175 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

54.6nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1817pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±25V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 9155 PCS

連絡先

関連製品

STB200N4F3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK