STD1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
部品番号
STD1HN60K3
メーカー/ブランド
シリーズ
SuperMESH3™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
消費電力(最大)
27W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9.5nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
140pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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