STMicroelectronics STD4NK80Z-1 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK を購入

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STD4NK80Z-1

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

部品番号

STD4NK80Z-1

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

SuperMESH™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I-PAK

消費電力(最大)

80W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

800V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.5 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 50µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

575pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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