STMicroelectronics STH275N8F7-6AG MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 を購入

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STH275N8F7-6AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

部品番号

STH275N8F7-6AG

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

サプライヤーデバイスパッケージ

H2PAK-6

消費電力(最大)

315W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

80V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

193nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

13600pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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