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STH410N4F7-2AG

STH410N4F7-2AG

MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
部品番号
STH410N4F7-2AG
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
H2Pak-2
消費電力(最大)
365W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
141nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
11500pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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