STL19N60DM2
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
部品番号
STL19N60DM2
メーカー/ブランド
シリーズ
MDmesh™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-PowerFlat™ HV
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerFlat™ (8x8) HV
消費電力(最大)
90W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
320 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±25V
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