STL19N65M5
MOSFET N-CH 650V 12.5A PWRFLAT88
部品番号
STL19N65M5
メーカー/ブランド
シリーズ
MDmesh™ V
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-PowerFlat™ HV
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerFlat™ (8x8) HV
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 90W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
240 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
31nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1240pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±25V
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