STS9P2UH7
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
部品番号
STS9P2UH7
メーカー/ブランド
シリーズ
STripFET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
消費電力(最大)
2.7W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
22nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2390pF @ 16V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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