STMicroelectronics STW56N65M2-4 MOSFET N-CH 650V I2PAKFP を購入

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STW56N65M2-4

MOSFET N-CH 650V I2PAKFP

部品番号

STW56N65M2-4

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

MDmesh™ M2

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-4

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-247-4L

消費電力(最大)

358W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

650V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

49A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

62 mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

93nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3900pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±25V

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