CSD18511KTTT
40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS
部品番号
CSD18511KTTT
メーカー/ブランド
シリーズ
NexFET™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
サプライヤーデバイスパッケージ
DDPAK/TO-263-3
消費電力(最大)
188W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
110A (Ta), 194A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
64nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5940pF @ 20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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