CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
部品番号
CSD19506KTT
メーカー/ブランド
シリーズ
NexFET™
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
サプライヤーデバイスパッケージ
DDPAK/TO-263-3
消費電力(最大)
375W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
156nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
12200pF @ 40V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
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