CSD19538Q3AT
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
部品番号
CSD19538Q3AT
メーカー/ブランド
シリーズ
NexFET™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-VSONP (3x3.15)
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 23W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.8V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.3nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
454pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 19622 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT 電子部品
CSD19538Q3AT 売上
CSD19538Q3AT サプライヤー
CSD19538Q3AT ディストリビュータ
CSD19538Q3AT データテーブル
CSD19538Q3ATの写真
CSD19538Q3AT 価格
CSD19538Q3AT オファー
CSD19538Q3AT 最安値
CSD19538Q3AT 検索
CSD19538Q3AT を購入中
CSD19538Q3AT チップ