CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
部品番号
CSD25213W10
メーカー/ブランド
シリーズ
NexFET™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-UFBGA, DSBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DSBGA (1x1)
消費電力(最大)
1W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
478pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
-6V
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