CSD25485F5T
CSD25485F5T
部品番号
CSD25485F5T
メーカー/ブランド
シリーズ
FemtoFET™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-XFDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
3-PICOSTAR
消費電力(最大)
1.4W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
35 mOhm @ 900mA, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
533pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 8V
Vgs (最大)
-12V
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