CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
部品番号
CSD85312Q3E
メーカー/ブランド
シリーズ
NexFET™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
パワー - 最大
2.5W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-VSON (3.3x3.3)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FETの特徴
Logic Level Gate, 5V Drive
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
39A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2390pF @ 10V
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