TH58NYG3S0HBAI6
IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
部品番号
TH58NYG3S0HBAI6
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
FLASH - NAND (SLC)
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
67-VFBGA (6.5x8)
電圧 - 電源
1.7 V ~ 1.95 V
メモリの種類
Non-Volatile
メモリー容量
8Gb (1G x 8)
アクセス時間
25ns
クロック周波数
-
メモリフォーマット
Flash
書き込みサイクル タイム - ワード、ページ
25ns
メモリインターフェース
Parallel
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 53382 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード TH58NYG3S0HBAI6
TH58NYG3S0HBAI6 電子部品
TH58NYG3S0HBAI6 売上
TH58NYG3S0HBAI6 サプライヤー
TH58NYG3S0HBAI6 ディストリビュータ
TH58NYG3S0HBAI6 データテーブル
TH58NYG3S0HBAI6の写真
TH58NYG3S0HBAI6 価格
TH58NYG3S0HBAI6 オファー
TH58NYG3S0HBAI6 最安値
TH58NYG3S0HBAI6 検索
TH58NYG3S0HBAI6 を購入中
TH58NYG3S0HBAI6 チップ