Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12E60W,S1VX
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TK12E60W,S1VX

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
部品番号
TK12E60W,S1VX
メーカー/ブランド
Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ
DTMOSIV
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
消費電力(最大)
110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Super Junction
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.7V @ 600µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
890pF @ 300V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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