TPN1R603PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
部品番号
TPN1R603PL,L1Q
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSIX-H
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
消費電力(最大)
104W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
10V @ 10µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
41nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3900pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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