Vishay Siliconix IRFBE30PBF MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB を購入

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IRFBE30PBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

部品番号

IRFBE30PBF

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220AB

消費電力(最大)

125W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

800V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.1A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

78nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1300pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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