IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
部品番号
IRFD210PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
4-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
消費電力(最大)
1W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.2nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
140pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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