Vishay Siliconix IRFD9010PBF MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IRFD9010PBF

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

部品番号

IRFD9010PBF

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

4-DIP (0.300", 7.62mm)

サプライヤーデバイスパッケージ

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

消費電力(最大)

1W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

50V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.1A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

500 mOhm @ 580mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

11nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

240pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 19393 PCS

連絡先

関連製品

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP