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SI1404BDH-T1-E3

SI1404BDH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
部品番号
SI1404BDH-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70-6 (SOT-363)
消費電力(最大)
1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
100pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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