Vishay Siliconix SI5406DC-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 を購入

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SI5406DC-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

部品番号

SI5406DC-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SMD, Flat Lead

サプライヤーデバイスパッケージ

1206-8 ChipFET™

消費電力(最大)

1.3W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6.9A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

20 mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

600mV @ 1.2mA (Min)

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

20nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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