Vishay Siliconix SI5458DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET を購入

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SI5458DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

部品番号

SI5458DU-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerVDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)

消費電力(最大)

3.5W (Ta), 10.4W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

41 mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

9nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

325pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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